[发明专利]富铑的氧隔绝层无效
| 申请号： | 02804918.7 | 申请日： | 2002-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN1518758A | 公开（公告）日： | 2004-08-04 |
| 发明（设计）人： | 杨海宁;D·贾丽;G·S·桑德郝;H·罗德斯;M·维绍肯 | 申请（专利权）人： | 微米技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/285 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 陈长会 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了用于形成集成电路的电容器的结构和方法。该电容器包括富铑结构(24)，与富铑结构(24)直接接触的氧化铑层(26)，与氧化铑层(26)直接接触的电容器电介质(30)和在电容器之上的上电极(40)。该富铑结构(24)可包括铑合金且电容器电介质(30)优选具有高介电常数。 | ||
| 搜索关键词： | 隔绝 | ||
【主权项】：
1.一种在集成电路内的电容器，包含：富铑结构；直接接触富铑结构的氧化铑层；直接接触氧化铑层的电容器电介质；和在电容器电介质之上的上电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
