[发明专利]控制蚀刻选择性的方法和装置有效
| 申请号： | 02804946.2 | 申请日： | 2002-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN1491434A | 公开（公告）日： | 2004-04-21 |
| 发明（设计）人： | J·S·兰斯福德;L·福尔克 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用以控制一蚀刻处理的方法。该方法包括：提供一具有至少一个第一层和一形成于该第一层上的第二层的晶圆。测量该第二层的厚度。根据该第二层的测量厚度确定蚀刻选择性参数。根据该蚀刻选择性参数修正蚀刻工具(130)的操作方法。本发明另提供具有蚀刻工具(130)、第一计量工具(120)与处理控制器(150)的处理生产线。根据操作方法，该蚀刻工具(130)用以蚀刻多个晶圆(110)，每一个晶圆(110)都具有至少一个第一层和形成于该第一层上的第二层。该第一计量工具(120)用以测量第二层的预蚀刻厚度。该处理控制器(150)根据第二层测量的预蚀刻厚度确定蚀刻选择性参数并根据蚀刻选择性参数修正蚀刻工具的操作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 蚀刻 选择性 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种控制蚀刻处理的方法，包括：提供一具有至少第一层和形成于该第一层上的第二层的晶圆；测量该第二层的厚度；根据该第二层测量的厚度确定蚀刻选择性参数；以及根据该蚀刻选择性参数修正蚀刻工具(130)的操作方法。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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