[发明专利]半导体处理用紫外线辅助处理装置

摘要

一种半导体处理用紫外线辅助处理装置(10)，具有与载置台(11)对置的、设置于构成处理室(12)的壁上的、使紫外线透射的窗(20)。设有与窗(20)对置的、向处理室(12)外发出紫外线的光源(15)。用于向处理室(12)的内部供给处理气体的供给系统具有形成于窗(20)内部的、使处理气体通过的顶部空间(21)和用于排出处理气体的多个排气孔(22)。

主权项

1.一种半导体处理用紫外线辅助处理装置，其特征在于，具有：收纳被处理基板的处理室；设置于所述处理室内，支承所述被处理基板的载置台；隔着所述载置台，对所述被处理基板进行加热的加热器；与所述载置台对置的、设置于构成所述处理室的壁上的、使紫外线透射的窗；与所述窗对置的、设置于所述处理室外的、发出紫外线的光源；用于排出所述处理室内部气体的排气系统；用于向所述处理室内部供给处理气体的供给系统，所述供给系统包括顶部空间和多个排气孔，所述顶部空间使形成于所述窗的内部的所述处理气体通过，所述多个排气孔形成于与所述载置台对置的所述窗的面上，并且与所述顶部空间连通，以排出所述处理气体。