[发明专利]元器件制造方法和真空处理系统无效
| 申请号： | 02805533.0 | 申请日： | 2002-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN1494604A | 公开（公告）日： | 2004-05-05 |
| 发明（设计）人： | R·瓦纳;S·维尔特舍;J·拉姆 | 申请（专利权）人： | 尤纳克西斯巴尔策斯公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;C23C16/02;C23C16/42;C23C16/24;C23C16/513;C23C14/56 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 胡强;赵辛 |
| 地址： | 列支敦士*** | 国省代码： | 列支敦士登;LI |
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| 摘要： | 在制造对其涂覆提出了与在用一外延层进行涂覆时一样的要求的涂覆元器件时，将反应气体通入一处理室(PR)中并且借助低能等离子放电来激活反应气体。为了提高这种方法的工业实用性，在这里，处理室(PR)与处于环境中的容器(1)的内壁分隔开(14)。 | ||
| 搜索关键词： | 元器件 制造 方法 真空 处理 系统 | ||
【主权项】：
1、通过使用至少一个等离子加强的处理步骤来制造呈电子元器件、光电元器件、光学元器件或微观机械元件或其中间产品形式的元器件的方法，在该处理步骤中，被通入一个处理室(PR)的反应气体或混合反应气体借助低能等离子放电而以在安置于该等离子放电中的元器件的表面的电离能E被激活，其中0eV＜E≤15eV，其特征在于，所述处理气氛(PR)在该处理步骤中与一个处于环境中的真空容器(1)的内壁分隔开(15；15a；14；15b)。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
