[发明专利]制备碳化硅和任选制备铝和硅铝明(铝硅合金)的方法无效
| 申请号： | 02805538.1 | 申请日： | 2002-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN1494605A | 公开（公告）日： | 2004-05-05 |
| 发明（设计）人： | 简·雷达尔·施蒂伯格 | 申请（专利权）人： | 挪威硅精炼厂股份有限公司 |
| 主分类号： | C25B1/00 | 分类号： | C25B1/00;C25C3/06 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王维玉;丁业平 |
| 地址： | 挪威*** | 国省代码： | 挪威;NO |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了在同一电解池中制备碳化硅和任选制备铝和硅铝明(铝硅合金)的方法，其中将硅酸盐和/或含石英的岩石置于由含氟化物的电解槽组成的熔融盐中进行电解，从而在同一电解槽中生成了硅和铝，并且生成的铝，有可能是低合金的，流向槽底，可任选被取出。除了阴极沉积物，将来自阴极材料和/或外源的碳粉直接加入熔融浴或冷冻浴中，在加入碳粒之前或之后，冷冻浴和阴极沉积物被压碎。将所得混合物在高于1420℃温度时熔化，并通过冷却使SiC结晶析出。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 碳化硅 任选 硅铝明 合金 方法 | ||
【主权项】：
1.在同一电解槽中制备碳化硅和任选制备铝和硅铝明(铝硅合金)的方法，其中I.将硅酸盐和/或含石英的岩石置于由含氟化物的电解槽组成的熔融盐中进行电解，由此在同一电解槽中生成了硅和铝，并且生成的铝，有可能是低合金的，流向槽底，可任选被取出，II.除了阴极沉积物，将来自阴极材料和/或外源的碳粉直接加入熔融浴或冷冻浴中，在加入碳粒之前或之后，冷冻浴和阴极沉积物被压碎，III.所得混合物在高于1420℃温度时熔化，通过冷却，SiC结晶析出。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于挪威硅精炼厂股份有限公司，未经挪威硅精炼厂股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02805538.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：元器件制造方法和真空处理系统
- 下一篇：用于电沉积金和金合金的镀液及其应用
