[发明专利]使用臭氧的化学-机械平面化方法无效
申请号: | 02805701.5 | 申请日: | 2002-02-08 |
公开(公告)号: | CN1494735A | 公开(公告)日: | 2004-05-05 |
发明(设计)人: | R·J·斯莫尔;尚小蔚 | 申请(专利权)人: | EKC科技公司 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;H01L21/321;H01L21/3105;H01L21/461;H01L21/768 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 任宗华 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及在化学机械平面化中,作为反应物的臭氧(O3)的用途,其以水溶液或气体形式直接作用于待平面化的表面。含臭氧的水溶液选择性地含有研磨颗粒和/或与臭氧共溶的其它CMP试剂,包括碳酸盐和碳酸氢盐阴离子,以及有机酸,例如甲酸、草酸、乙酸和乙二醇酸。可以加入的研磨剂包括氧化铝、二氧化硅、二氧化铈、尖晶石和氧化锆。水溶液中的常规臭氧浓度在约每百万分之1份(“ppm”)-饱和的范围内。铵盐,特别是碳酸铵与含臭氧水溶液结合使用有助于平面化。根据本发明,使用臭氧反应物可以将有机和无机低k介电材料,以及难以氧化的金属平面化。 | ||
搜索关键词: | 使用 臭氧 化学 机械 平面化 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于化学机械平面化的组合物,包括臭氧水溶液和研磨剂颗粒。
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