[发明专利]制造内存胞元数组金属位线之方法,制造内存胞元数组之方法及内存胞元数组

摘要

一种制造内存胞元数组位线(40)之方法包括提供一种层结构，其包括基材(10)(其具植入于其表面的晶体管井(12))的步骤做为第一步骤、在该基材(10)的表面提供的储存介质层序列(20)、及在该储存介质层序列(20)上提供的闸极区域层(22)，位线路凹槽(30)，其在该闸极区域层(22)制造，该位线路凹槽向下延伸至该储存介质层序列(20)，接着，在完全移除该储存介质层序列(20)后，绝缘间隔物层(36)在该位线路凹槽的侧边表面上被制造，于此源极/汲极植入(38)在该位线路凹槽(30)的区域内执行，之后，若此未在植入前被完成，则该基材被完全暴露在该位线路凹槽的区域内。接着，金属化以在露出的基材上制造金属位线路(40)，该金属化由该绝缘间隔物层(36)与该闸极区域层(34)绝缘。

主权项

1.一种制造内存胞元数组位线(4、40)之方法，该方法包括下列步骤：a)提供一种层结构，其包括一种基材(10)，其具植入于其表面的晶体管井(12)、在该基材表面提供的储存介质层序列(20)、及在该储存介质层序列(20)上提供的闸极区域层(22)；b)在该闸极区域层(22)制造位线路凹槽(30)，该位线路凹槽向下延伸至该储存介质层序列(20)；c)在该位线路凹槽(30)的侧边表面上制造绝缘间隔物层(36)；d)在该位线路凹槽(30)的区域内完全或部份移除该储存介质层序列(20)；e)在该位线路凹槽(30)的区域内执行源极/汲极植入(38)；f)若该储存介质层序列未于步骤d)完全被移除，在该位线路凹槽(30)的区域内完全移除该储存介质层序列(20)；及g)在进行该源极/汲极植入的区域上制造金属化，以制造金属位线路(40)，该金属化由该绝缘间隔物层(36)与闸极区域层(34)绝缘。