[发明专利]高压处理方法无效
申请号: | 02805921.2 | 申请日: | 2002-11-21 |
公开(公告)号: | CN1494733A | 公开(公告)日: | 2004-05-05 |
发明(设计)人: | 井上阳一;增田薰;饭岛胜之 | 申请(专利权)人: | 株式会社神户制钢所 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王景朝;庞立志 |
地址: | 日本兵库*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种用于在高压处理室中通过使制品与超临界二氧化碳和一种化学流体进行接触,除去附着在被处理制品上积垢材料的方法,它包括实施除去在被处理制品上的积垢材料的步骤,在几乎相同压力条件下的第一次清洗步骤和第二次清洗步骤,同时允许超临界二氧化碳连续流动。 | ||
搜索关键词: | 高压 处理 方法 | ||
【主权项】:
1.一种通过在高压处理室中使工件表面与超临界二氧化碳和添加剂进行接触而用于除去工件表面上不必要物质的高压处理方法,该方法包括以下步骤:在所述高压处理室中装入所述工件之后,密封高压处理室;用提供给所述高压处理室的增压二氧化碳,使高压处理室增压至分别比其临界压力和临界温度高的预定压力和预定温度;在所述高压处理室上游,通过使所述添加剂和共溶剂与所述超临界二氧化碳混合,使添加剂和共溶剂溶解于超临界二氧化碳中;通过向所述高压处理连续提供预定量的由所述添加剂、共溶剂与超临界二氧化碳组成的混合物,并从所述高压处理室排出与预定供给量基本等量的高压流体,而除去所述工件上不必要的物质,同时维持高压处理室内部高于二氧化碳的临界压力和临界温度;通过停止所述添加剂的进料,并在高压处理室上游混合所述共溶剂与超临界二氧化碳,获得其中共溶剂溶于所述超临界二氧化碳中的第一清洗流体;通过连续供给预定量的所述第一清洗流体至高压处理室中,并从高压处理室排出与预定供给量基本等量的高压流体,用第一清洗流体进行第一次清洗过程,以置换在高压处理室中的由所述添加剂、共溶剂和超临界二氧化碳组成的混合流体,同时维持高压处理室内部高于二氧化碳的临界压力和临界温度;通过停止提供所述共溶剂,连续对高压处理室仅提供预定量的超临界二氧化碳,并从高压处理室排出与预定供给量基本等量的高压流体,用超临界二氧化碳进行第二次清洗过程,以置换在高压处理室中的第一清洗流体,同时维持高压处理室内部高于二氧化碳的临界压力和临界温度;停止对高温处理室的二氧化碳进料;使高压处理室减压至常压;和取出高压处理室中的工件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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