[发明专利]抛光体、CMP抛光设备及半导体器件制造方法有效
| 申请号： | 02805974.3 | 申请日： | 2002-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN1494734A | 公开（公告）日： | 2004-05-05 |
| 发明（设计）人： | 星野进;宇田丰;菅谷功 | 申请（专利权）人： | 株式会社尼康 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 抛光目标晶片11通过抛光头12保持，并与抛光头12一起旋转。通过使用粘结剂或双面胶带等粘结的方法将抛光体14固定至抛光元件13。如图2(b)所示，抛光体14通过层叠软元件15、硬弹性元件16和抛光垫17构成。硬弹性元件16的构造使其在抛光过程中应用抛光负载时的变形量小于上述晶片在相当于上述半导体集成电路的最大图案的间隔中的允许阶差，并大于上述晶片在相当于一个芯片的间隔中所允许的TTV。因此，可以同时满足“晶片整体去除一致性”和“局部图案平面度”的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 抛光 cmp 设备 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于CMP抛光设备的抛光体，用于抛光内部形成半导体集成电路的晶片，其中抛光垫、硬弹性元件和软元件以这种顺序层叠，上述硬弹性元件的构造使此元件在抛光过程中应用抛光负载时的变形量小于上述晶片在相当于上述半导体集成电路的最大图案的间隔中的允许阶差，并大于上述晶片在相当于一个芯片的间隔中所允许的TTV。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
