[发明专利]闸流体结构及具此闸流体结构之过电压保护装置有效
申请号: | 02806248.5 | 申请日: | 2002-02-15 |
公开(公告)号: | CN1518769A | 公开(公告)日: | 2004-08-04 |
发明(设计)人: | C·彼德斯 | 申请(专利权)人: | 因芬尼昂技术股份公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 程天正;张志醒 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明系关于一闸流体结构,包括一第一连接(1),用以做为一第一导电型态之一第一区域。第二导电型态之一第二区域(2)邻近该第一区域(1)。第一导电型态之一第三区域(3),其比第二区域(2)宽,具有与后者之一共同表面。做为一第四区域之第二导电型态之一第二连接(4)邻近该第三区域。一辅助电极(6,7)位于该第二区域(2)与该第三区域(3)之该共同区域上,该电极于该二区域之至少一者相接邻。 | ||
搜索关键词: | 流体 结构 过电压 保护装置 | ||
【主权项】:
1.一种闸流体结构,具有:一第一端(1)被形成做为一第一区域,具有一第一导电形态;第二导电型态之一第二区域(2),其邻近该第一区域(1);第一导电型态之一第三导电区域(3),其邻近该第二区域(2)并与后者具有一共同表面(8),以及一第二端(4),做为第二导电型态之第四区域,邻近该第三区域,于该情况中,该第二区域(2)及该第三区域(3)之共同表面处,一辅助电极(6,7)以邻近该二区域之至少一者的方式设置,特征在于一辅助电极(6,7)以位于第二区域(2)与第三区域(3)之共同表面(8)之上的方式邻近该第二区域(2)及该第三区域(3)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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