[发明专利]用于窄隙填充用途的介电薄膜无效
| 申请号： | 02806353.8 | 申请日： | 2002-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN1507653A | 公开（公告）日： | 2004-06-23 |
| 发明（设计）人： | N·哈克;S·谢;Y·邓;D·恩迪施;R·梁 | 申请（专利权）人： | 霍尼韦尔国际公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 周慧敏;杨九昌 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在形成具有低热收缩的填隙介电材料中使用分散在溶剂中由致密材料构成的纳米颗粒的胶体悬浮体。该介电材料特别用于预金属介电材料和浅槽分隔用途。根据形成介电材料的这种方法，把胶体悬浮体沉积在衬底上并干燥形成多孔中间层。通过用液相基质材料如旋涂聚合物渗透，然后固化；通过用气相基质材料渗透，然后固化；或者仅通过固化使所述中间层改性，以提供填隙的热稳定耐侵蚀介电材料。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 填充 用途 薄膜 | ||
【主权项】：
1.一种在衬底上形成介电层的方法，该方法包括：在衬底上沉积胶体分散体，该胶体分散体包含分散在溶剂中的致密材料的颗粒，其中，所述致密材料是一种介电材料或者通过氧化或氮化可以转变成介电材料的材料；干燥该胶体分散体形成中间层；用基质材料渗透所述中间层形成渗透后的层；和固化所述渗透后的层，从而使渗透后的层改性，形成介电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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