[发明专利]热处理装置有效
| 申请号： | 02806638.3 | 申请日： | 2002-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN1496583A | 公开（公告）日： | 2004-05-12 |
| 发明（设计）人： | 斋藤幸正 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 利用将对处理炉(2)进行排气的排气系统(15)内的排气压力作为与大气压的差压而进行检测的差压计(23)、和作为绝对压力检测大气压的气压计(31)，将排气压力作为绝对压力而检测。根据检测的绝对排气压力，调节压力可变阀(25)的开度，由此来调整处理炉(2)内的压力。 | ||
| 搜索关键词： | 热处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种热处理装置，其特征为，具有：放置被处理体的处理炉；将处理气体供给所述处理炉内的处理气体供给系统；加热所述处理炉的加热器；具有用于排出所述处理炉内的气体的排气通路的排气系统；调节所述排气通路内的排气压力的排气压力调节装置；将所述排气通路内的排气压力作为与大气压的差压而检测的差压计；将所述大气压作为绝对压力而检测的气压计；以及根据由所述差压计检测的排气压力和由所述气压计检测的大气压得出的作为绝对压力的排气压力，控制所述排气压力调节装置的控制部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
