[发明专利]半导体发光元件有效
| 申请号： | 02806788.6 | 申请日： | 2002-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN1498427A | 公开（公告）日： | 2004-05-19 |
| 发明（设计）人： | 只友一行;冈川广明;大内洋一郎;常川高志 | 申请（专利权）人： | 三菱电线工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在第一层1的表面上加工凹凸1a，使具有与第一层不同的折射率的第二层2将该凹凸埋入并生长(或者，在成为生长的基础的晶体层S上使第一晶体10呈凹凸状地生长，使具有与第一层不同的折射率的第二晶体20生长)。形成了这些凹凸状的折射率界面1a(10a)后，在它上面形成层叠了包括发光层A的半导体晶体层的元件结构。因此，在发光层中产生的横向光由于凹凸状的折射率界面的影响而改变方向，朝向外界。另外，其中，在使发光层的材料为InGaN、发生紫外线的情况下，采用量子井结构，完全用GaN晶体形成该量子井结构和低温隔离层之间的层，将AlGaN排除。该量子井结构最好由InGaN构成的井层和由GaN构成的阻挡层构成，阻挡层的厚度最好为6nm～30nm。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件，其特征在于：有在第一晶体层表面上加工凹凸，由具有与上述晶体层不同的折射率的半导体材料构成的第二晶体层在该凹凸上通过隔离层或直接地将该凹凸埋入并生长，在第二晶体层上层叠包括发光层的半导体晶体层的元件结构。
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