[发明专利]太阳能电池及其制造方法

摘要

根据本发明的第一方面的太阳能电池是采用硅单晶基片的OECO太阳能电池，其中每条凹槽的最小深度h总是满足关系式h≥W₁tanθ，此处θ代表沿着半导体单晶基片的厚度方向，当沿着垂直于各个凹槽纵方向的任意截面观看时，形成在一条在所有凹槽中具有最大深度凹槽的电极的低端部和没有在其上形成电极的同一凹槽的内侧面的上端部连接的一根直线，和垂直于厚度方向的参考线间的夹角，而W₁代表在凹槽的两个开口边缘间的距离。根据本发明的第二方面的制造太阳能电池的方法，在如下描述的在从硅单晶锭上切割的p型硅单晶基片的第一主表面上形成许多凹槽。首先，凹槽刻划刀片的刀口部分以一预定的高度，从工作台的平坦的基片进料表面上突出。p型硅单晶基片沿着基片进料表面朝着转动的凹槽刻划刀片移动，而保持其第一主表面与基片进料表面紧密接触。然后在凹槽的横着方向的如此刻划的凹槽内侧面的只有一侧上形成电极。

主权项

1.一种太阳能电池，其特征在于，它有接收光的表面，这个接收光的表面是由在其上具有多个近于平行的凹槽的半导体单晶基片的第一主表面构成的，每个凹槽具有在凹槽的横着方向上配置在它的内侧面中只有一侧上的用于引出输出的电极，其中每个凹槽的最小深度h满足下列关系式：h≥W1tanθ此外θ代表在沿着半导体单晶基片的厚度方向，形成在一条沿着垂直于各个凹槽纵方向的任意横截面来看的、在所有凹槽间具有最大深度的凹槽上的电极的下端部连接没有电极形在其上的同一凹槽内侧面上端部的一根直线和垂直于厚度方向的参考线之间的夹角，而以代表由凹槽的两个开口边缘间的距离所定义的凹槽宽度。