[发明专利]磁阻元件及其制造方法

摘要

本发明是提供磁阻特性比现有优越的磁阻元件，通过包含在330℃以上的热处理工序的方法制造、而且从非磁性层的中心线到一对强磁性层和所述非磁性层之间的界面的最长距离为10nm以下。该元件例如在基板上作底膜，将该底膜在400℃以上进行热处理，在该底膜的表面上照射离子束而降低表面粗糙度，在其后，可以形成所述强磁性层以及所述非磁性层。在距非磁性层的界面2nm范围的强磁性层内，若添加M¹(从Tc、Re、Ru、Os、Rh、Ir、Pd、Pt、Cu、Ag以及Au中选择的至少1种元素)，所述最长距离相对地降低。

主权项

1.一种磁阻元件，包含基板和在该基板上形成的多层膜，所述多层膜包含一对强磁性层和夹在所述一对强磁性层之间的非磁性层，磁阻值根据所述一对强磁性层的磁化方向形成的相对角度的不同而不同，其特征在于，通过包括将所述基板和所述多层膜在330℃以上的温度下进行热处理的工序的方法制造，从按照将所述非磁性层在厚度方向上等分地分割的方式而确定的中心线到所述一对强磁性层和所述非磁性层之间的界面之间的最长距离为20nm以下，其中，所述最长距离，是从根据长度为50nm的10条中心线的每一条而确定的到所述界面的最长距离中，去掉最大值和最小值后而确定8个最长距离，进而取所述8个最长距离的平均值而得到。