[发明专利]用于减小最小波导间隔的光波导制造无效
| 申请号： | 02807051.8 | 申请日： | 2002-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN1498349A | 公开（公告）日： | 2004-05-19 |
| 发明（设计）人： | D·E·尼科诺夫;X·王 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G02B6/132 | 分类号： | G02B6/132;G02B6/136 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 肖春京 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种制造方法，其能减少集成光学器件中的最小波导间隔。波导的中心区被蚀刻到覆层材料中，接着用中心材料填充，而不是首先在所述中心材料之间蚀刻间隔接着填充所述间隔。这允许中心区之间的间隔被不受限制地制成很小，而不受与过去用于形成波导间隔的常规蚀刻和沉积/回流工艺相关的纵横比的限制。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 减小 最小 波导 间隔 制造 | ||
【主权项】：
1、一种方法，包括：在衬底上形成覆层材料：将所述覆层材料光刻图案化和蚀刻以获得中心区和所述中心区之间的间隔，所述间隔由所述覆层材料制成；以及用中心材料填充所述中心区。
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