[发明专利]具半磁性连接之半导体组件无效
| 申请号： | 02807074.7 | 申请日： | 2002-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN1509413A | 公开（公告）日： | 2004-06-30 |
| 发明（设计）人： | L·莫伦坎普;G·施米特 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正;梁永 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明有关一磁阻半导体组件，其包含一第一连接(1)及一第二连接(3)，还有一非磁性半导体层(2)，该层配置于该第一连接与第二连接之间，其中该第一连接由一半磁性物质构成。用以作为半磁性物质乃强顺磁性物质，其电子自旋在无一外部磁场作用下不具有优先方位。在一外部磁场作用下，该电子在该第一连接(1)自旋极化，当一电压施加，此导致该自旋极化电子注入进该非磁性半导体(2)。结果在非磁性半导体中，仅有一自旋信道能被用以传输该载荷子，以致于获得一正磁阻效应。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 连接 半导体 组件 | ||
【主权项】：
1.磁阻半导体组件，包含一第一连接(1)，及一第二连接(3)，及一非磁性半导体层(2)，该层系配置于该第一连接(1)与该第二连接(3)之间，其中该第一连接(1)系由一半磁性物质构成。
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