[发明专利]铌电容器的制备方法有效
| 申请号： | 02807111.5 | 申请日： | 2002-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN1505823A | 公开（公告）日： | 2004-06-16 |
| 发明（设计）人： | 大森和弘;内藤一美;福永宏史 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | H01G9/052 | 分类号： | H01G9/052;H01G9/042;H01G9/04 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 段承恩;陈海红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种制备铌电容器的方法，包括将电介质氧化物膜暴露于100至1,400℃温度下的步骤作为其制备过程中的任意一个步骤。通过本发明制备方法制备的电容器具有优良的LC性能，以及较小的由DC偏置的应用导致的电容量减小。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种铌电容器的制备方法，包括将电介质氧化物层暴露于100至1400℃的温度下的步骤作为外壳成型之前的任意一个步骤。
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