[发明专利]制造高电容极间电介质的方法

摘要

一种用于制造一二氧化硅/四氮化三硅/二氧化硅(ONO)叠式复合层(40)的方法。此复合层具有一薄的四氮化三硅层(16)用于提供一高电容极间电介质结构(70)。在形成复合层时，先在一基底上例如一多晶硅(52)上形成一底二氧化硅层(14)。然后，在该底二氧化硅层上形成一四氮化三硅层(16)，并用氧化法使该层(16)变薄。四氮化三硅薄膜(16)的氧化通过反应消耗了一些四氮化三硅，此反应产生另一二氧化硅层(18)，此层(18)用氢氟酸稀释加以去除。接着再次对四氮化三硅层(16)进行氧化而再次使之变薄，并在该层(16)上形成一顶二氧化硅层(20)而形成ONO叠式复合层(40)。然后，在该ONO叠式复合层上淀积一第二多晶硅层(54)，从而形成极间电介质(70)。

主权项

1.一种形成一ONO电介质的方法，该方法包括：在第一二氧化硅层上形成一四氮化三硅层；氧化该四氮化三硅层，在所述四氮化三硅层上产生一临时性二氧化硅层；除去该临时性二氧化硅层，再氧化该四氮化三硅层，在所述四氮化三硅层上形成一顶二氧化硅层。