[发明专利]光磁记录介质及其再生方法无效
| 申请号： | 02807321.5 | 申请日： | 2002-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN1500267A | 公开（公告）日： | 2004-05-26 |
| 发明（设计）人： | 粟野博之;关根正树;谷学;今井奖;井上和子;铃木芳和;国府田安彦;石崎修;岛崎胜辅 | 申请（专利权）人： | 日立麦克塞尔株式会社 |
| 主分类号： | G11B11/105 | 分类号： | G11B11/105 |
| 代理公司： | 北京银龙专利代理有限公司 | 代理人： | 徐川 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及光磁记录介质及其再生方法，具体说是涉及能以可靠的、充分的再生信号强度将高密度记录的信息进行再生的光磁记录介质及其再生方法。该光磁记录介质，具有记录层(5)、中间层(4)及再生层(3)，再生层(3)由稀土类金属占优势的稀土类过渡金属合金形成，中间层(4)及记录层(5)由过渡金属占优势的稀土类过渡金属合金形成。中间层(4)因在超过140℃时表现为面内磁化，所以在再生时隔断记录层(5)与再生层(3)的交换结合力。通过中间层(4)的磁畴与再生层的磁畴的静磁斥力，复制到再生层(3)上的磁畴(3A)扩大到最小磁畴径的大小。通过磁畴扩大再生，能够获得不产生重叠信号的放大了的再生信号。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 介质 及其 再生 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光磁记录介质，其具有：由磁性材料形成的记录层；由磁性材料形成的表现为垂直磁化的再生层；由磁性材料形成的，存在于所述记录层与再生层之间，并以低于160℃的温度将所述记录层与再生层的交换结合力隔断的中间层；其特征在于，所述再生层的补偿温度Tcomp1、所述中间层的补偿温度Tcomp2及所述记录层的补偿温度Tcomp3满足下列式(1)及(2)的任何一个所表示的条件。Tcomp2＜120℃＜Tcomp1……(1)Tcomp3＜120℃＜Tcomp2……(2)
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