[发明专利]DRAM及访问方法无效
| 申请号： | 02807466.1 | 申请日： | 2002-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN1526139A | 公开（公告）日： | 2004-09-01 |
| 发明（设计）人： | 砂永登志男;渡边晋平;細川浩二 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G11C11/408 | 分类号： | G11C11/408 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 吴丽丽 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种DRAM及可以获得随机行访问的高数据率的访问DRAM的方法。通过从多个主字线(14)中选择一个，从512个子字线(16)中选择8个子字线(16)，由一个子字线(16)选取信号和一个激活信号选择一个子字线(16)。 | ||
| 搜索关键词： | dram 访问 方法 | ||
【主权项】：
1.一种DRAM，其中包含以存储数据的多个段构成的块，在多根子字线内选择规定根数的子字线的主字线，在上述多个段内选择一个和在规定根数的子字线内选择一根的角块，上述角块的构成包括：发送在上述规定根数的子字线内选择一根的信号的多根全局Z线，发送选择段的信号的段选择线，连接子字线和段选择线的多个NAND电路，以及利用该NAND电路发出的规定信号动作的多个锁定电路。
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