[发明专利]等离子体处理装置

摘要

在微波等离子体处理装置中，通过使正对被处理基片的喷盘或等离子体透过窗的、正对所述被处理基片的一侧成凹面状，来补偿被处理基片周围部分中的等离子体密度的降低。其结果，即使在进行蚀刻等低压下的等离子体处理时，也能在被处理基片表面附近维持稳定均匀的等离子体。此外，通过所述结构，还可以促进等离子体的点火。

主权项

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体处理装置由以下部分构成：处理容器，由外壁围成，具有支承被处理基片的支承台；排气系统，与所述处理容器结合；微波透过窗，作为所述外壁的一部分设置在所述处理容器上，并与所述支承台上的被处理基片相对；等离子气体供给部分，用于向所述处理容器供给等离子气体；微波天线，对应于所述微波设置在所述处理容器上；其中，所述微波透过窗的正对所述被处理基片一侧的内表面成凹面形状，从而，与所述被处理基片表面一致的平面和所述内表面之间的间隔沿所述微波透过窗的径向向外减小。