[发明专利]使用电子束辐射形成增强晶体管栅极的方法及包括该晶体管栅极的集成电路有效
| 申请号： | 02807510.2 | 申请日： | 2002-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN1500287A | 公开（公告）日： | 2004-05-26 |
| 发明（设计）人： | P·A·费希尔;C－Y·杨;M·V·普莱特;R·R·A·卡拉汉;A·M·卡舒尼亚 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种栅极宽度小于70nm的晶体管的制造方法，该方法包含对一个成像在光阻层的栅极(26，36)进行电子束辐射(12)，对一个成像在光阻层的栅极(26，36)进行修整，将光阻层上的栅极图案蚀刻至位于光阻层下的多晶硅层(40)上，所述栅极图案是经由电子束的曝光而形成。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 电子束 辐射 形成 增强 晶体管 栅极 方法 包括 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路制造方法，该方法包含一种将一个晶体管栅极图案(26，36)成像在一个光阻层上的步骤，其特征在于：以电子束将该晶体管栅极图案(26，36)固化；修整该固化的晶体管栅极图案(26，36)；以及将该修整过的晶体管栅极图案成像到位于该光阻层下的层(40，42)，以形成一个晶体管栅极，其中该晶体管栅极包括一个宽度和一个长度，而且沿着该晶体管栅极长度方向的该宽度的变化则会因为该固化步骤而减少。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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