[发明专利]互补型MIS器件

摘要

一种CMOS器件，包括在硅基片的(100)面上形成并具有其他结晶面的结构，以及由在所述结构上通过微波等离子体处理形成的高质量的栅极绝缘膜和在其上形成的栅电极构成的p通道MOS晶体管和n通道MOS晶体管，其中，设定所述结构的尺寸和形状，使得所述p通道MOS晶体管和n通道MOS晶体管之间的载流子迁移率平衡。

主权项

1.一种互补型MIS器件，其特征在于，所述互补型MIS器件由以下部分构成：半导体基片，具有作为主面的第一结晶面，并被分划成p通道MIS晶体管区域和n通道MIS晶体管区域；p通道MIS晶体管，包括：第一半导体结构，作为所述半导体基片的一部分形成在所述p通道MIS晶体管区域中，由一对侧壁面和顶面构成，其中，所述一对侧壁面由不同于所述第一结晶面的第二结晶面形成，所述顶面由不同于所述第二结晶面的第三结晶面形成；第一栅极绝缘膜，形成在所述p通道MIS晶体管区域中，以均匀的厚度实际覆盖所述主面和所述第一半导体结构的侧壁面及顶面；第一栅电极，形成在所述p通道MIS晶体管区域中，通过所述第一栅极绝缘膜连续覆盖在所述主面和所述第一半导体结构的侧壁面及顶面上；第一及第二p型扩散区域，在所述p通道MIS晶体管区域内，形成在所述半导体基片及所述第一半导体结构中的所述第一栅电极的一侧和另一侧上，并均沿着所述半导体基片主面和所述第一半导体结构的侧壁面及顶面连续延伸；以及n通道MIS晶体管，包括：第二半导体结构，作为所述半导体基片的一部分形成在所述n通道MIS晶体管区域中，由一对侧壁面和顶面构成，其中，所述一对侧壁面由不同于所述第一结晶面的第四结晶面形成，所述顶面由不同于所述第四结晶面的第五结晶面形成；第二栅极绝缘膜，形成在所述n通道MIS晶体管区域中，以均匀的厚度实际覆盖所述主面和所述第二半导体结构的侧壁面及顶面；第二栅电极，形成在所述n通道MIS晶体管区域中，通过所述第二栅极绝缘膜连续覆盖在所述主面和所述第二半导体结构的侧壁面及顶面上；第一及第二n型扩散区域，在所述n通道MIS晶体管区域内，形成在所述半导体基片及所述第二半导体结构中的所述第二栅电极的一侧和另一侧上，并均沿着所述半导体基片主面和所述第二半导体结构的侧壁面及顶面连续延伸；其中，设定所述第一半导体结构的顶面和侧壁面的宽度以及所述第二半导体结构的顶面和侧壁面的宽度，使得所述p通道MIS晶体管的电流驱动能力与所述n通道MIS晶体管的电流驱动能力实际平衡。