[发明专利]使用不用清理的助焊剂进行倒装晶片的相互连接无效
申请号: | 02807547.1 | 申请日: | 2002-03-22 |
公开(公告)号: | CN1537327A | 公开(公告)日: | 2004-10-13 |
发明(设计)人: | K·塔卡哈施;M·梅达 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/603;H01L23/485 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 蔡民军;章社杲 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 描述一种连接晶片和衬底的倒装晶片方法。使用热压缩连接器对齐晶片和衬底并施加接触力保持衬底上的焊料隆块贴靠晶片上的金属隆块。晶片通过连接器头部内的脉冲加热器从其非本地侧快速加热到焊料隆块处的回流温度为止。大致达到焊料隆块处的回流温度,释放接触力。焊料保持在其回流温度之上几秒钟以有助于衬底金属突出部的涂抹和连接。使用具有低于焊料隆块的熔点的挥发温度的不用清理的助焊剂以减少或消除互连之后去焊操作的需要。 | ||
搜索关键词: | 使用 不用 清理 焊剂 进行 倒装 晶片 相互 连接 | ||
【主权项】:
1.一种方法,包括:在衬底的第一表面上施加助焊剂,该衬底的第一表面具有连接其上的焊料隆块,该焊料隆块具有熔化温度,并且该助焊剂大致包括小于该熔化温度的挥发温度的成分;将该焊料隆块与相应的金属隆块大致对齐,该金属隆块连接在该晶片的第一表面上;将该焊料隆块与该相应的金属隆块接触;以及将该焊料隆块加热到第一温度,该第一温度等于或大于该熔化温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造