[发明专利]倒装芯片的高性能硅接触无效
| 申请号： | 02807548.X | 申请日： | 2002-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN1528018A | 公开（公告）日： | 2004-09-08 |
| 发明（设计）人： | L·福尔贝斯;K·Y·阿恩 | 申请（专利权）人： | 微米技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/48;H01L23/48;H01L23/498;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;梁永 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体基片(12)，它包含前(14)、后(16)表面并有穿过基片在前(14)、后(16)表面之间伸展的小孔(18、20、22)。小孔(18、20、22)部分地由内壁部分界定并形成外部导电壳层。在贴近至少是一些内壁部分处形成导电材料(54)。接着，在孔内在导电材料上面径向朝内形成一层电介质材料(56)。然后在孔内在电介质材料层(56)上面径向朝内形成一层第二导电材料(60)。后一导电材料构成内部导电同轴线部件。 | ||
| 搜索关键词： | 倒装 芯片 性能 接触 | ||
【主权项】：
1.一种形成同轴集成电路互连线的方法，包括：提供一具有前、后表面的基片；形成以侧壁由所述前表面到所述后表面穿过所述基片伸展的小孔；在所述侧壁上形成外部导电同轴壳层；在所述外部导电同轴壳层上面径向朝内形成同轴电介质层；以及在所述同轴电介质层上面径向朝内形成内部同轴线。
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