[发明专利]用于通过局部气流增强来生成超净微环境的设备和方法有效
申请号: | 02807647.8 | 申请日: | 2002-03-22 |
公开(公告)号: | CN1500286A | 公开(公告)日: | 2004-05-26 |
发明(设计)人: | 哈兰·I·霍斯;戴维·E·雅各布 | 申请(专利权)人: | 拉姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李辉 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了一种用于在机械性活动传输接口的局部区域中产生减少了微粒的环境的方法。气流的增强产生了扫气气流,以去除所希望的区域中或周围的微粒。增强的气流将消除静态或紊流气流区域,从而有助于从基板的附近去除潜在的微粒。这将防止微粒淀积在基板上,从而提升合格率并改进质量。 | ||
搜索关键词: | 用于 通过 局部 气流 增强 生成 超净微 环境 设备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于在第一腔室和第二腔室之间传输晶片的传输通道,其包括:气流源,用于将气流从第一腔室的顶部区域导引到第一腔室的底部区域;活动门,用于开启和闭合一开孔,该开孔被限定在第一腔室和第二腔室之间的壁上,并且位于所述顶部区域和底部区域之间,该开孔限定了第一腔室和第二腔室之间的通道;风罩,其在所述活动门的附近区域中限定了一包围区,该风罩具有一更接近第一腔室的顶部区域的顶部部分和一更接近第一腔室的底部区域的底部部分;以及风扇,其设置在接近所述风罩的底部部分的位置,以便增强来自所述附近区域周围并穿过由所述风罩限定的包围区的气流。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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