[发明专利]具有改进了的吸收层的远紫外线掩模有效

专利信息
申请号: 02807802.0 申请日: 2002-02-14
公开(公告)号: CN1500230A 公开(公告)日: 2004-05-26
发明(设计)人: G·张;P·-Y·颜 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: G03F1/14 分类号: G03F1/14;G03F1/08
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 程天正;梁永
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明公开了一种具有一定厚度的改进了的吸收层的EUV掩模,此吸收层由金属和非金属组成,其中金属对非金属的比率在整个改进了的吸收层的厚度内改变,并公开了这种EUV掩模的制造方法。
搜索关键词: 具有 改进 吸收 紫外线
【主权项】:
1.一种方法,它包含:提供衬底;在所述衬底上形成镜面,所述镜面在一定波长下是反射性的;在所述镜面上形成改进了的吸收层,所述改进了的吸收层在所述波长下是吸收性的,所述改进了的吸收层具有一定厚度,所述改进了的吸收层包含金属和非金属,其中所述金属对所述非金属的比率在整个所述厚度内改变;以及清除第一区中的所述改进了的吸收层,而留下第二区中的所述改进了的吸收层。
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