[发明专利]具有改进了的吸收层的远紫外线掩模有效
申请号: | 02807802.0 | 申请日: | 2002-02-14 |
公开(公告)号: | CN1500230A | 公开(公告)日: | 2004-05-26 |
发明(设计)人: | G·张;P·-Y·颜 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14;G03F1/08 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 程天正;梁永 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明公开了一种具有一定厚度的改进了的吸收层的EUV掩模,此吸收层由金属和非金属组成,其中金属对非金属的比率在整个改进了的吸收层的厚度内改变,并公开了这种EUV掩模的制造方法。 | ||
搜索关键词: | 具有 改进 吸收 紫外线 | ||
【主权项】:
1.一种方法,它包含:提供衬底;在所述衬底上形成镜面,所述镜面在一定波长下是反射性的;在所述镜面上形成改进了的吸收层,所述改进了的吸收层在所述波长下是吸收性的,所述改进了的吸收层具有一定厚度,所述改进了的吸收层包含金属和非金属,其中所述金属对所述非金属的比率在整个所述厚度内改变;以及清除第一区中的所述改进了的吸收层,而留下第二区中的所述改进了的吸收层。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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