[发明专利]质子导电膜及其应用无效
申请号: | 02807954.X | 申请日: | 2002-04-09 |
公开(公告)号: | CN1511170A | 公开(公告)日: | 2004-07-07 |
发明(设计)人: | 戈登·卡伦丹恩;迈克尔·J·桑索;奥尔默·于索;约阿希姆·基弗 | 申请(专利权)人: | 赛拉尼斯温特斯股份有限公司 |
主分类号: | C08G73/00 | 分类号: | C08G73/00;C08J5/00;C08L79/00;H01M8/00;C08J7/00;B05D3/00 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 王维玉;丁业平 |
地址: | 德国法*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及聚吡咯基新型质子导电膜,由于其优异的化学和热性质而可以多种方式使用,特别是适合于作为制备称为PEM燃料电池中膜电极单元的聚合物电解质膜(PEM)。 | ||
搜索关键词: | 质子 导电 及其 应用 | ||
【主权项】:
1.一种聚吡咯基质子导电聚合物膜,由包括以下步骤的方法得到:A)在高至350℃的熔融温度下,优选高至300℃,将一种或多种芳香四氨基化合物与一种或多种每个羧酸单体含有至少两个酸基的芳香羧酸或其酯,或一种或多种芳香和/或杂芳香二氨基羧酸反应,B)将步骤A中描述的所得固体预聚物溶于多磷酸中,C)将步骤B描述的所得溶液在惰性气体下加热至高达300℃,优选高至280℃以形成溶解的聚吡咯聚合物,D)用步骤C所得聚吡咯聚合物溶液在载体上形成薄膜,并E)对步骤D形成的膜进行处理至其可以自支撑。
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