[发明专利]氮化镓系列化合物半导体元件有效
| 申请号： | 02808020.3 | 申请日： | 2002-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN1502154A | 公开（公告）日： | 2004-06-02 |
| 发明（设计）人： | 川越公博 | 申请（专利权）人： | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/323 | 分类号： | H01S5/323;H01S5/22 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 罗亚川 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供寿命长、温度特性优良的氮化镓系列化合物半导体元件，通过在由包含In并掺杂了n型杂质的n型氮化镓系列化合物半导体组成的活性层107上层叠包含低浓度的n型杂质和p型杂质的(最好是非掺杂生长的)第1间隙层108a和包含铝并掺杂了p型杂质的第2间隙层，抑制在活性层和间隙层的界面附近的施主和受主的补偿。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 系列 化合物 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓系列化合物半导体元件，具有由包含In并掺杂了n型杂质的n型氮化镓系列化合物半导体组成的活性层和由包含铝并掺杂了p型杂质的p型氮化镓系列化合物半导体组成的p型包覆层，其特征在于，在所述活性层和所述p型包覆层之间层叠了由包含了与所述活性层相比具有更低浓度的n型杂质和与所述p型包覆层相比具有更低浓度的p型杂质的氮化镓系列化合物半导体组成的第1间隙层，以及由包含铝并掺杂了p型杂质的p型氮化镓系列化合物半导体组成的第2间隙层。
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