[发明专利]利用在氢气环境中退火在碳化硅层上制备氧化物层的方法有效
| 申请号： | 02808107.2 | 申请日： | 2002-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN1531746A | 公开（公告）日： | 2004-09-22 |
| 发明（设计）人： | L·A·利普金;M·K·达斯 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 周慧敏;王其灏 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 通过在一层碳化硅上制备氮化的氧化物层和在含氢气环境中退火该氮化的氧化物层，制备了碳化硅结构。氮化的氧化物层的制备可以通过以下过程提供：在氧化一氮和一氧化二氮至少之一中形成氧化物层和/或在氧化一氮和一氧化二氮至少之一中退火氧化物层。另外，氮化的氧化物层可以通过以下过程提供：制备氧化物层并在氧化物层上制备氮化物层以便提供氮化的氧化物层，在其上制备了氮化物层。此外，退火该氧化物层可以作为单独的步骤提供，和/或与另一个步骤如制备氮化物层或进行接触退火基本同时提供。氢气环境可以是纯氢气与其它气体组合的氢气和/或得自氢气前驱体。400℃或更高的退火温度是优选的。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 氢气 环境 退火 碳化硅 制备 氧化物 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在碳化硅电子器件中形成绝缘体的方法，包括：在一层碳化硅上制备氮化的氧化物层；和在含氢气的环境中退火该氮化的氧化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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