[发明专利]将氨用于刻蚀有机低K电介质有效
| 申请号： | 02808153.6 | 申请日： | 2002-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN1543672A | 公开（公告）日： | 2004-11-03 |
| 发明（设计）人： | C·W·霍;C·－J·李;K·－L·唐 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;陈霁 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用于将氨NH3用作活性刻蚀剂来刻蚀有机低k电介质的方法。以类似的过程条件，使用氨的过程导致至少两倍于使用N2/H2化学的过程的对有机低k电介质的刻蚀速率。其差别是由于在过程化学中NH3比N2低的多的离子化势能，这导致在类似过程条件下的明显较高的等离子体密度和刻蚀剂浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 刻蚀 有机 电介质 | ||
【主权项】：
1.一种刻蚀基片上的有机电介质层的方法，包括：将基片置于刻蚀室中；将包括NH3的刻蚀剂气体提供到刻蚀室中；以及从NH3产生等离子体，其刻蚀所述有机电介质层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于兰姆研究有限公司，未经兰姆研究有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02808153.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：水溶性包装
- 下一篇：移动体使用的输送设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
