[发明专利]加热大气反应器之加热系统及方法无效
| 申请号： | 02808170.6 | 申请日： | 2002-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN1559079A | 公开（公告）日： | 2004-12-29 |
| 发明（设计）人： | H·伯恩哈德特;T·塞德曼恩;M·斯塔德特米勒 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术SC300两合公司;ASML美国股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;C30B31/18;C23C16/46 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 章社杲 |
| 地址： | 德国德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明提供一种加热沉积/氧化反应器之加热系统，其中复数晶圆被维持与平行反应器纵轴之反应气体流动方向垂直，以便致能沉积或氧化反应。此加热系统适用于改变处理期间的反应器温度。此外，本发明提供一种加热反应器之方法，其中复数晶圆被维持与反应气体流动方向垂直，以便能一致反应，其中该反应器温度在处理期间被改变。较佳者，反应器在平行反应气体流动方向被分割为复数反应器区域之每一区域在不同的温度轮廓被加热。 | ||
| 搜索关键词： | 加热 大气 反应器 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种加热大气反应器(1)之加热系统(5)，其中复数晶圆被保持在垂直与该反应器(1)之纵轴平行之反应气体流动方向，因此致能一沉积处理或一氧化处理，特征在于：该加热系统(5)系适用于改变沉积处理期间的之该反应器温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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