[发明专利]在基质上沉积至少部分结晶硅层的方法和设备无效
| 申请号： | 02808258.3 | 申请日： | 2002-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN1503857A | 公开（公告）日： | 2004-06-09 |
| 发明（设计）人： | 爱德华·阿洛伊斯·杰拉德·汉默斯;阿诺·亨德利格斯·玛丽·施麦茨;莫利图斯·科纳利斯·玛利亚·范德桑登;丹尼尔·科纳利斯·施莱姆 | 申请（专利权）人： | 埃因霍温科技大学 |
| 主分类号： | C23C16/513 | 分类号： | C23C16/513;C23C16/24;C30B25/10 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王维玉;丁业平 |
| 地址： | 荷兰埃*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 在沉积至少部分结晶硅层的方法和设备中，产生等离子体，并将基质(24)在等离子体的作用下与含硅源流体接触从其中沉积硅。在施加源流体的局部(12)和基质(24)之间施加压降。除源流体外，也注入辅助流体，所述的辅助流体能够蚀刻非结晶的硅原子。基质(24)与源流体和辅助流体都接触。 | ||
| 搜索关键词： | 基质 沉积 至少 部分 结晶 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种使用等离子体在基质上沉积至少部分结晶硅层的方法，其中产生等离子体及将基质与含硅源流体接触从其中沉积硅，特征在于基质也与辅助流体接触，所述的辅助流体优选能够蚀刻非结晶的硅原子，及在两种流体到基质的通道中施加压降。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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