[发明专利]无凸点半导体器件有效
| 申请号： | 02808464.0 | 申请日： | 2002-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN1503988A | 公开（公告）日： | 2004-06-09 |
| 发明（设计）人： | 山田幸男;中村雅之;菱沼启之 | 申请（专利权）人： | 索尼化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰;叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题是一种无凸点半导体器件，系通过将导电粒子4与在周围设置了钝化膜3的半导体器件的电极焊区2进行金属键合而进行连接，它谋求抑制短路、减少连接成本、抑制向连接部的应力集中、以及减少附加于IC芯片1及电路基板5的损伤，能用倒装芯片方式以高可靠性且以低成本连接IC芯片1与电路基板5。使用在树脂粒子的表面上形成了金属镀层的复合粒子作为导电粒子4。该无凸点半导体器件可通过(a)使导电粒子4以静电方式吸附于平板的一面上，(b)将该平板的导电粒子吸附面重叠在半导体器件的电极焊区面上，进行超声压焊，使导电粒子4与电极焊区2进行金属键合，从该平板复制到电极焊区2上而制造。 | ||
| 搜索关键词： | 无凸点 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种无凸点半导体器件，它是电极焊区被设置在表面上并且钝化膜被设置在电极焊区的周围的无凸点半导体器件，其特征在于：通过将导电粒子与电极焊区进行金属键合而进行连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
