[发明专利]纳米电子器件和电路

摘要

具有更好的和可预设的特性的、纳米级的二极管器件，包括在一导电衬底中的蚀刻的绝缘线(8，16，18)，以限定所述线之间的电荷载流子流动路径，形成至少100nm长且宽小于100nm的细长沟道(20)。所述二极管的电流－电压特性类似于传统的二极管，但阈值电压(从0V到几伏)与电流级别(从nA到μA)都可以通过改变器件几何形状而被调节几个量级。标准的硅片可以用作衬底。全部逻辑门，如OR，AND，及NOT，可以基于该器件仅仅通过在所述衬底上简单地蚀刻绝缘线来制作。

主权项

1.一种电路元件，包括：支持移动电荷载流子的衬底，在该衬底表面上形成的绝缘特征，用以限定在绝缘特征两侧的第一和第二衬底区域，该绝缘器件包括第一和第二区，它们的位置彼此接近但间隔开以便形成一个细长的沟道，该沟道提供了一条在衬底中从第一区到第二区的电荷载流子流动路径，以及其中，所述的细长沟道的尺寸及排列使得该载流子流动路径的参数取决于所述第一区和第二区的势差。