[发明专利]纳米电子器件和电路有效
申请号: | 02808508.6 | 申请日: | 2002-04-18 |
公开(公告)号: | CN1669144A | 公开(公告)日: | 2005-09-14 |
发明(设计)人: | 艾曼·桑;佩尔·奥姆凌 | 申请(专利权)人: | BTG国际有限公司 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06;H01L29/861;H01L29/739;H01L29/775;H01L21/329;H01L21/331;H01L21/8252;H01L21/335 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 韩宏 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 英国;GB |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 具有更好的和可预设的特性的、纳米级的二极管器件,包括在一导电衬底中的蚀刻的绝缘线(8,16,18),以限定所述线之间的电荷载流子流动路径,形成至少100nm长且宽小于100nm的细长沟道(20)。所述二极管的电流-电压特性类似于传统的二极管,但阈值电压(从0V到几伏)与电流级别(从nA到μA)都可以通过改变器件几何形状而被调节几个量级。标准的硅片可以用作衬底。全部逻辑门,如OR,AND,及NOT,可以基于该器件仅仅通过在所述衬底上简单地蚀刻绝缘线来制作。 | ||
搜索关键词: | 纳米 电子器件 电路 | ||
【主权项】:
1.一种电路元件,包括:支持移动电荷载流子的衬底,在该衬底表面上形成的绝缘特征,用以限定在绝缘特征两侧的第一和第二衬底区域,该绝缘器件包括第一和第二区,它们的位置彼此接近但间隔开以便形成一个细长的沟道,该沟道提供了一条在衬底中从第一区到第二区的电荷载流子流动路径,以及其中,所述的细长沟道的尺寸及排列使得该载流子流动路径的参数取决于所述第一区和第二区的势差。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的