[发明专利]气相生长装置有效
| 申请号： | 02808797.6 | 申请日： | 2002-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN1526160A | 公开（公告）日： | 2004-09-01 |
| 发明（设计）人： | 长谷部一秀;山本博之;梅原隆人;川上雅人 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/205;C23C16/455 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 温大鹏;杨松龄 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的气相生长装置具有在内部配置有基板的反应容器和第1气体导入部及第2气体导入部，其中第1气体导入部具有在上述反应容器内开口的、形成有气体喷出口的第1气体导入管，该第1气体导入部用于将由含有机金属的气体构成的第1气体供给上述反应容器内，第2气体导入部具有在上述反应容器内开口的、形成有气体喷出口的第2气体导入管，该第2气体导入部用于将与上述含有机金属的气体发生反应、并且比上述含有机金属的气体的密度小的第2气体，供给上述反应容器内。第1气体导入管的气体喷出口和第2气体导入管的气体喷出口沿着配置在上述反应容器内的基板的外周进行配置。 | ||
| 搜索关键词： | 相生 装置 | ||
【主权项】：
1.一种气相生长装置，它具有以下部分：内部配置有基板的反应容器，具有在上述反应容器内开口的、形成有气体喷出口的第1气体导入管，将由含有机金属的气体构成的第1气体供给上述反应容器内用的第1气体导入部；具有在上述反应容器内开口的、形成有气体喷出口的第2气体导入管，将与上述含有机金属的气体发生反应、并且比上述含有机金属的气体的密度小的第2气体供给上述反应容器内用的第2气体导入部；其特征在于，第1气体导入管的气体喷出口和第2气体导入管的气体喷出口沿着配置在上述反应容器内的基板的外周进行配置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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