[发明专利]半导体工艺设备中的含铈氧化物的陶瓷部件与涂层有效
申请号: | 02808947.2 | 申请日: | 2002-03-21 |
公开(公告)号: | CN1505695A | 公开(公告)日: | 2004-06-16 |
发明(设计)人: | R·J·奥唐奈;J·E·道格尔蒂 | 申请(专利权)人: | 兰姆研究公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;H01J37/32;B01J19/02 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 蔡胜有 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 半导体工艺设备如等离子体腔室的一种抗腐蚀部件,其包含用一种含铈氧化物的陶瓷材料作为部件的最外层表面。含铈氧化物的陶瓷材料包含一种或多种铈氧化物作为其单一的最大组分。该部件可以完全由含铈氧化物的陶瓷材料制造,或者可供选择的,可用这种含铈氧化物的陶瓷在比如铝或者铝合金,陶瓷材料,不锈钢,或者难熔金属的衬底上提供一种层。可以通过一种技术比如等离子喷涂将该含铈氧化物的陶瓷层作为一种涂层提供。在部件和这种含铈氧化物的陶瓷涂层之间可以提供一个或者多个中间层。为了提高这种含铈氧化物的陶瓷涂层的附着力,在沉积该含铈氧化物的陶瓷涂层之前,可以对部件表面或者中间层表面进行一种表面粗糙化处理。 | ||
搜索关键词: | 半导体 工艺设备 中的 氧化物 陶瓷 部件 涂层 | ||
【主权项】:
1.一种对半导体工艺设备部件表面进行涂层的方法,该方法包括:在半导体工艺设备部件表面沉积含铈氧化物的陶瓷层,其中含铈氧化物的陶瓷层包含一种或者多种铈氧化物作为其单一的最大组分,而且其中含铈氧化物的陶瓷层形成该部件的最外表面。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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