[发明专利]氧化膜形成方法

摘要

一种氧化膜形成方法，有利于在整个晶片上形成膜厚和膜质量的均匀性都很高的优质氧化膜。氧化膜形成方法包括前处理工序和氧化膜形成工序，前处理工序是在减压条件下，利用活性氧化晶种或含有活性氧化晶种的气氛对配置在反应容器内的晶片进行氧化处理，在晶片的表面上形成保护氧化膜；氧化膜形成工序是在减压条件下以规定温度对晶片进行氧化处理，形成氧化膜。氧化膜形成工序最好是在进行前处理工序的反应容器内和前处理工序连续进行。前处理工序最好在比氧化膜形成工序的温度低的温度下进行，而且，最好是在减压程度比氧化膜形成工序高的减压条件下进行。根据该氧化膜形成方法，可形成良好的晶体管元件的栅极绝缘膜。

主权项

1.一种氧化膜形成方法，是在晶片的表面上形成氧化膜的氧化膜形成方法，其特征在于，它包括下述工序：在减压条件下，对配置在反应容器内的晶片进行利用活性氧化晶种的氧化处理、或利用含有活性氧化晶种气氛的氧化处理，从而在该晶片的表面上形成氧化膜的前处理工序；在减压条件下，以规定的温度对在该前处理工序中所得到的具有保护氧化膜的晶片进行氧化处理，从而在该晶片的表面上形成氧化膜的氧化膜形成工序。