[发明专利]等离子体刻蚀有机抗反射涂层的方法有效
| 申请号： | 02809056.X | 申请日： | 2002-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN1505832A | 公开（公告）日： | 2004-06-16 |
| 发明（设计）人： | 倪图强;蒋维楠;C·奇昂;F·Y·林;C·李;D·N·李 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 任宗华 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种其中有机抗反射涂层被无O2含硫气体刻蚀的半导体制造工艺，它提供相对下方层的选择性和/或使上方光刻胶的侧刻蚀速率最小化以保持由光刻胶所确定的临界尺寸。刻蚀剂气体可包括SO2和载体气体如Ar或He并视需要加入其它气体如HBr。该工艺可形成结构如波纹结构时用于刻蚀0.25微米和较小的接点或通过开口。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 刻蚀 有机 反射 涂层 方法 | ||
【主权项】：
1.一种以对上方和/或下方层的选择性刻蚀有机抗反射涂层的方法，包括：将半导体基材支撑在等离子体刻蚀反应器中，所述基材包括在下方层之上的有机抗反射涂层；激发无O2刻蚀气体成等离子体态和刻蚀有机抗反射涂层中的开口，所述刻蚀气体包含含硫气体和载体气体。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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