[发明专利]测量集成电路的背面电压无效
| 申请号： | 02809130.2 | 申请日： | 2002-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN1551992A | 公开（公告）日： | 2004-12-01 |
| 发明（设计）人： | 克里斯托弗·肖;陶春诚;西奥多·R.·朗德奎斯特 | 申请（专利权）人： | 尼佩泰斯特公司 |
| 主分类号： | G01R31/307 | 分类号： | G01R31/307 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 马浩 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 利用带电粒子束对集成电路进行诊断、品质鉴定或修改的方法。在一个实施方式中，集成电路的大块的硅衬底被减薄到离最深阱约1至3μm，一个电压被加到减薄衬底的外表面下的一个电路元件上。所加的电压在外表面上感应一个电势，该电势通过与带电粒子流作用而作为外表面的一个表面特征被检测。 | ||
| 搜索关键词： | 测量 集成电路 背面 电压 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：将一个电压加到一个具有一个减薄衬底层的集成电路的一个电路元件上，该电路元件位于该减薄衬底层的一个外表面之下，所加的电压在外表面上感应一个电势；以及检测该电势以作为外表面上的一个表面特征。
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