[发明专利]制造纳米晶磁芯的方法及用于实施此方法的装置有效
申请号: | 02809188.4 | 申请日: | 2002-07-11 |
公开(公告)号: | CN1505822A | 公开(公告)日: | 2004-06-16 |
发明(设计)人: | J·佩特佐德;V·克里斯皮斯;H·-R·希尔辛格 | 申请(专利权)人: | 真空融化两合公司 |
主分类号: | H01F41/02 | 分类号: | H01F41/02;H01F1/153 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 胡强;章社杲 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及一种方法和实现一种加工过程的装置,其中首先所有产生的磁芯都连续不断地结晶。根据所要求的磁滞回线是圆的、扁平的或者矩形的,使这些磁芯紧接着或者立即进行最终加工,也就是装在外壳里,在一个纵向磁场里调整到一种矩形磁滞回线,或者在一个横向磁场里调整到一种扁平的磁滞回线,然后再进行最终加工。 | ||
搜索关键词: | 制造 纳米 晶磁芯 方法 用于 实施 装置 | ||
【主权项】:
1.一种用于制造由一软磁铁基合金制成的磁芯的方法,其中至少包含50%的、平均粒度为100纳米或更小的超细晶粒合金组织,该方法采用以下步骤:a)准备出一种熔融合金;b)借助快速凝固工艺由该熔融合金制造出一非晶合金带;c)将该非晶态带卷成非晶态磁芯;d)将未堆垛的非晶态磁芯连续进行热处理,成为纳米晶磁芯。
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