[发明专利]制造纳米晶磁芯的方法及用于实施此方法的装置有效

专利信息
申请号: 02809188.4 申请日: 2002-07-11
公开(公告)号: CN1505822A 公开(公告)日: 2004-06-16
发明(设计)人: J·佩特佐德;V·克里斯皮斯;H·-R·希尔辛格 申请(专利权)人: 真空融化两合公司
主分类号: H01F41/02 分类号: H01F41/02;H01F1/153
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 胡强;章社杲
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明涉及一种方法和实现一种加工过程的装置,其中首先所有产生的磁芯都连续不断地结晶。根据所要求的磁滞回线是圆的、扁平的或者矩形的,使这些磁芯紧接着或者立即进行最终加工,也就是装在外壳里,在一个纵向磁场里调整到一种矩形磁滞回线,或者在一个横向磁场里调整到一种扁平的磁滞回线,然后再进行最终加工。
搜索关键词: 制造 纳米 晶磁芯 方法 用于 实施 装置
【主权项】:
1.一种用于制造由一软磁铁基合金制成的磁芯的方法,其中至少包含50%的、平均粒度为100纳米或更小的超细晶粒合金组织,该方法采用以下步骤:a)准备出一种熔融合金;b)借助快速凝固工艺由该熔融合金制造出一非晶合金带;c)将该非晶态带卷成非晶态磁芯;d)将未堆垛的非晶态磁芯连续进行热处理,成为纳米晶磁芯。
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