[发明专利]薄膜音响共振器及其制造方法有效
| 申请号： | 02809666.5 | 申请日： | 2002-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN1531721A | 公开（公告）日： | 2004-09-22 |
| 发明（设计）人： | 山田哲夫;长尾圭吾;桥本智仙 | 申请（专利权）人： | 宇部电子有限公司 |
| 主分类号： | G10K11/04 | 分类号： | G10K11/04;H03H9/54 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王维玉;武玉琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在硅晶片(51)的表面形成了氧化硅薄层(53)的基板上，形成洼陷(52)。跨过洼陷(52)一样配置的夹层构造体，由压电体层(62)以及接合于其双面的下方电极(61)和上方电极(63)构成。下方电极(61)的上表面以及与它接合的压电体层(62)的下表面，高度RMS误差为25nm以下。下方电极(61)的厚度为150nm以下。这样，提供具有优良的电机械接合系数和音响品质系数的高性能的薄膜音响共振器。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 音响 共振器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.薄膜音响共振器，其特征在于，具有压电体层、与该压电体层第1表面接合的第1电极、和与位于所述压电体层的所述第1表面相反一侧的第2表面接合的第2电极，所述压电体层的第1表面的高度RMS误差在25nm以下。
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