[发明专利]在存储阵列中使用互补位的设备与方法无效

专利信息
申请号: 02810036.0 申请日: 2002-04-09
公开(公告)号: CN1509476A 公开(公告)日: 2004-06-30
发明(设计)人: D·L·平尼 申请(专利权)人: 微米技术股份有限公司
主分类号: G11C11/4097 分类号: G11C11/4097
代理公司: 上海专利商标事务所 代理人: 李家麟
地址: 美国爱*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种操作具有一组存储单元的展开位线和折叠位线DRAM存储阵列的设备和方法,在一个实施例中,在平面图中每个存储单元具有6f2的面积。一种方法包括,在第一个存储单元中存储第一个位并在第二个存储单元中存储与第一个位互补的第二个位。第一个位和第二个位构成一个数据位。通过比较第一个存储单元与第二个存储单元之间的电压差读取这个数据位。
搜索关键词: 存储 阵列 使用 互补 设备 方法
【主权项】:
1.一种操作具有一组存储单元的折迭位线DRAM存储阵列的方法,其特征在于,在平面图中每个存储单元面积为6F2,所述方法包括:在第一个存储单元中存储第一个位;及在第二个存储单元中存储与所述第一个位互补的第二个位,其特征在于,所述第一个位和所述第二个位构成一个数据位。
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