[发明专利]衬底传送容器无效
申请号: | 02810091.3 | 申请日: | 2002-05-16 |
公开(公告)号: | CN1630930A | 公开(公告)日: | 2005-06-22 |
发明(设计)人: | 田中亮;铃木庸子;岸贵士 | 申请(专利权)人: | 株式会社荏原制作所 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 蹇炜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种例如在制造小于0.13mm线宽的集成电路的工艺中使用的衬底传送容器,能够保持容器内部的至少对于颗粒、酸性气体、碱性气体、有机物和湿气的污染物水平在被控低水平,并具有可与自动化半导体制造设备相容的尺寸和结构。该容器在容器主体的表面上设有用于装载和卸载衬底的门(1),并构成为以给定隔开距离保持衬底在容器主体内部,其中用于降低颗粒和气体污染物的水平的空气调节装置大致对称地设置在容器主体(6)上。 | ||
搜索关键词: | 衬底 传送 容器 | ||
【主权项】:
1、一种衬底传送容器,在容器主体的表面上具有用于装载和卸载衬底的门,并构成为在容器主体的内部按给定间距保持衬底,其中空气调节装置基本上对称地设置在容器主体的横向表面上,用于降低容器内部的颗粒和气体污染物的浓度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社荏原制作所,未经株式会社荏原制作所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/02810091.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造