[发明专利]基于圆筒的等离子体处理系统无效
| 申请号： | 02810131.6 | 申请日： | 2002-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN1509343A | 公开（公告）日： | 2004-06-30 |
| 发明（设计）人： | 史蒂文·T·芬克 | 申请（专利权）人： | 东京电子株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/00 | 分类号： | C23C16/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王宪模 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种用于降低真空处理系统成本的方法和系统，是通过利用分开制造的部件来构成腔室壁、腔室顶板、腔室底板来实现的。由圆筒(例如，铝管或轧制环形锻件)来形成所说的腔室壁，然后把所说的腔室顶板和腔室底板气密封地封接到罐体的顶部和底部。并利用一些连接件(和腔室内部的真空)把所说的顶板和底板夹紧到所说的圆筒上。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 圆筒 等离子体 处理 系统 | ||
【主权项】：
1、在一种真空处理系统中，所作的改进包括：顶板和底板；一腔室壁，该腔室壁与所说的顶板和底板分开制造；连接件，用于把所说的顶板和底板封接到所说的腔室壁上。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
