[发明专利]两种存储器类型的集成有效
| 申请号： | 02810199.5 | 申请日： | 2002-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN1509501A | 公开（公告）日： | 2004-06-30 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·E·琼斯;布鲁斯·E·怀特 | 申请（专利权）人： | 摩托罗拉公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8247;H01L21/8239;H01L27/105 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谢丽娜;张天舒 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 非易失存储器(NVM)和动态纳米晶体(DNM)集成在一个半导体衬底上。具有嵌入的纳米晶体或分立存储元件的控制栅极和控制电介质形成在隧道电介质的不同厚度上，以形成两个存储器。源和漏区形成在与隧道电介质相邻的半导体衬底内。使用了多种方法通过增加最少的处理步骤形成了薄隧道氧化物和厚隧道氧化物。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 类型 集成 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其包括：第一存储器晶体管，包括：第一电介质；以及第一多个分立的存储元件；和第二存储器晶体管，包括：第二电介质，其比第一电介质厚；和第二多个分立的存储元件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于摩托罗拉公司，未经摩托罗拉公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02810199.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
