[发明专利]芯片电阻器及其制造方法有效
| 申请号： | 02810238.X | 申请日： | 2002-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN1524275A | 公开（公告）日： | 2004-08-25 |
| 发明（设计）人： | 土井真人 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/00 | 分类号： | H01C7/00;H01C17/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在芯片型绝缘基板(11)的上面形成有电阻膜(12)及该电阻膜两端的上面电极(13)，并且形成有覆盖上述电阻膜的外涂层(14)，进一步，在上述两个上面电极(13)的上面，相对于上述外涂层(14)部分重叠地形成辅助上面电极(15)，另外，在上述绝缘基板(11)的左右端面(11a)上形成有侧面电极(16)，在上述辅助上面电极(15)及侧面电极(16)的表面形成有金属镀层(18)，如此构成芯片电阻器，通过相对于上述辅助上面电极(15)中的重叠在上述外涂层(14)上的部分、部分重叠地形成覆盖上述外涂层的最上层的外涂层(19)，而能防止在上述上面电极(13)及辅助上面电极(15)发生含硫气体的迁移等。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 电阻器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种芯片电阻器，在形成为芯片型的绝缘基板的上面，形成有至少一个电阻膜、位于该电阻膜两端的左右一对上面电极民、以及覆盖上述电阻膜的外涂层，并且，在上述两上面电极的上面，相对于上述外涂层部分重叠地形成辅助上面电极，而在上述绝缘基板的左右端面上，与上述上面电极及辅助上面电极电性导通地形成侧面电极，而且，在上述辅助上面电极及侧面电极的表面形成有金属镀层，其特征在于：在上述外涂层的上面，相对于上述辅助上面电极中重叠在上述外涂层上的部分、部分重叠地形成有最上层的外涂层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罗姆股份有限公司，未经罗姆股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02810238.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：低电阻值片状电阻器及其制造方法
- 下一篇：可调谐铁电滤波器
