[发明专利]利用芯片上焊盘扩大部分封装微电子器件的方法无效
| 申请号： | 02810296.7 | 申请日： | 2002-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN1555574A | 公开（公告）日： | 2004-12-15 |
| 发明（设计）人： | Q·武;S·托勒;M·乔内斯 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L23/538 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;王勇 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在半导体晶片上的钝化层上形成扩大的焊盘，再将晶片切割成单独的电路芯片。切割后，封装各个芯片，方法是：将每个芯片固定在封装件核心中，并在结果组件上制成一层或多层金属化层。在至少一个实施例中，利用受控致密芯片连接(C4)处理的高熔融温度交替隆起物冶金(ABM)形式在晶片上的焊盘上形成较宽的导电平台。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 芯片 上焊盘 扩大 部分 封装 微电子 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造微电子器件的方法，它包括：提供半导体晶片，所述半导体晶片在其上表面上有多个焊盘，所述半导体晶片携带多个独立的电路；在所述半导体晶片的所述上表面上加上一层钝化层；在所述钝化层中形成开口，以便暴露出所述半导体晶片的所述上表面上的焊盘的一部分；在所述钝化层的选择的开口上形成扩大的焊盘；淀积所述扩大的焊盘之后将所述半导体晶片切割成多个单独的微电子芯片，所述多个单独的微电子芯片包括第一芯片； 将所述第一芯片固定在封装件核心中以便形成芯片/核心组件；以及在所述芯片/核心组件制成至少一层金属化层。
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