[发明专利]半导体存储器无效
| 申请号： | 02810492.7 | 申请日： | 2002-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN1511322A | 公开（公告）日： | 2004-07-07 |
| 发明（设计）人： | 高桥弘行;稻叶秀雄;中川敦 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/40 | 分类号： | G11C11/40 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;钟强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开一种异步型半导体存储器。称为准SRAM结构，能够有效缓解与地址的时滞相关的限制，改善读出速度。数据锁存电路110在读出模式下，将由包含在高位地址ADDU中的行地址所指定的存储阵列106内的存储单元群读出的数据锁存。当包含在地址中的列地址A0、A1发生变化时，多路转换电路111将数据锁存电路110锁存的数据按列地址A0、A1异步地依次送到外部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器，其特征在于：以外部提供的地址作为触发，将位线初始化，从接于该位线的存储单元将数据读出；在读出模式下，从包含在所述地址中的行地址所指定的存储单元群，将数据读出并锁存，包含在所述地址中的列地址发生变化时，根据所述列地址将所述被锁存数据异步地依次送到外部。
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